场效应管控制路原理　场效应管损坏原理

场效应管控制路原理？

场效应管（FET）是一种半导体器件，它可以通过控制栅极电压来控制导通电流。

因此，它的控制路原理是基于栅极电压的变化来调节电流的通断。

具体解释如下：

1.场效应管的控制路原理是基于栅极电压的变化来控制电流的通断。

2.场效应管的核心结构是由栅极、源极和漏极构成。

当在栅极和源极之间施加正向电压时，栅极和源极之间形成了一个电场。

这个电场会导致栅极和漏极之间形成一个导电路径。

3.通过改变栅极电压的大小，可以调节栅极和漏极之间电场的强弱，进而控制导通电流的大小。

当栅极电压足够大，电场强度增加，导通电流也增大；反之，栅极电压足够小，电场强度减小，导通电流也减小。

因此，控制路可以通过改变栅极电压来实现对场效应管的导通与截止。

综上所述，场效应管的控制路原理是通过调节栅极电压来控制电流的通断，具体取决于栅极电压的大小对导通与截止状态的影响。

场效应管损坏原理？

1.缺少保护电路.一般来说电路中应适当设置保护电路.以吸收电路中的瞬间高压.浪涌电压.保护关键元件.2.参数选取不合理.没有余地.效应管的耐压.电流都应该流有一定的余地.以保证正常使用.如果参数选取过于保守.基本相当于工作在超负荷下.时间长了则容易损坏.3.元件没有经过认真筛选.老化.或者根本就没有选用高质量的元件.在使用当中损坏的几率当然很大.

mos场效应管工作原理？

在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上，制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出漏极d和源极s，后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层，在漏极与源极间绝缘层上装一个铝电极，作为栅极g，衬底引出一个电极B。

特点：

N沟道增强型的栅极与其它电极间是绝缘的；